模拟电路基础知磁饱和原理识系列之二：半导体三极管

一. 三极管的结构、类型及特点
1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，磁饱和原理且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态

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3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线

饱和管压降，用UCES表示
放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，转速测量仪原理集电结反偏。
4. 温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型（简化）
hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，
常用β表示；

四. 基本放大电路组成及其原则
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五. 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点。
*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。
　　*电路参数对静态工作点的影响
　　

1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的
直线。
3. 静态工作点与非线性失真

（1）截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小Rb，提高Q。
（2） 饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。
4. 放大器的动态范围
（1） Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围
*当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。
*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ），放大器将有最大的不失真输出电压。